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NE85619-T1-A中文资料

NE85619-T1-A图片

NE85619-T1-A外观图

  • 大小：5085KB
  • 厂家：
  • 描述：RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW Surface Mount SOT-523
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
  • 频率 - 转换：4.5GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • 增益：6.5dB ~ 12.5dB
  • 功率 - 最大：100mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：80 @ 20mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装：3-SuperMiniMold
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：2SC5006-T1NE85619-ATR

NE85619-T1-A供应商

更新时间:2023-01-30 02:22:22
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NC7S14M5XNCP1607BDR2GNCV3843BVD1R2GNTMFS4841NHT1GNCP699SN50T1GNSR0620P2T5GNC7SZ08L6XNC7SZD384M5XNCP803SN308T1GNCV1455BDR2G

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