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NE85619-T1-A中文资料

NE85619-T1-A图片

NE85619-T1-A外观图

  • 大小:5085KB
  • 厂家:
  • 描述:RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW Surface Mount SOT-523
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF 晶体管 (BJT)
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12V
  • 频率 - 转换:4.5GHz
  • 噪声系数(dB典型值@频率):1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • 增益:6.5dB ~ 12.5dB
  • 功率 - 最大:100mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 20mA,10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装:3-SuperMiniMold
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2SC5006-T1NE85619-ATR

NE85619-T1-A供应商

更新时间:2023-01-30 02:22:22
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